반도체 전공정 장비기업 주성엔지니어링이 차세대 '원자층박막성장(ALG)' 기술로 실리콘 웨이퍼의 미세공정 한계 극복에 나섰다. ALG는 기존 ALD 방식과 달리 시드 원소를 기점으로 3차원 전 방향에서 막을 성장시켜 좁고 깊은 구조도 빈틈없이 채워 보이드 발생과 누설전류를 억제한다. 또 400도 이하 저온에서 10nm 이하 두께의 3-5족·3-6족 화합물 반도체 박막을 상용화하는 기술을 개발했으며, 이는 기존 실리콘 대비 전자 이동속도가 최대 6배 높아 AI 데이터센터의 발열·전력 문제 개선에 기여할 수 있다. 회사는 글로벌 ALD 장비 시장 점유율 4위이며 올해 상반기 매출의 39.5%인 452억원을 R&D에 투입했다.
- •주성엔지니어링, 시드 기점 3차원 전방향 성장 방식의 차세대 'ALG' 기술으로 보이드·누설전류 억제
- •400도 이하 저온서 10nm 이하 3-5족·3-6족 화합물 반도체 박막 상용화 기술 개발
- •해당 화합물 반도체는 실리콘 대비 전자 이동속도 최대 6배로 AI 데이터센터 발열·전력 문제 개선 기대
- •글로벌 ALD 장비 시장 점유율 4위(ASM·TEL·램리서치 다음), 상반기 매출의 39.5%인 452억원 R&D 투입
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[AI 대전환 리딩 전략] 주성엔지니어링, ALG로 반도체 난제 극복
![[AI 대전환 리딩 전략] 주성엔지니어링, ALG로 반도체 난제 극복](https://cdn.bloter.net/news/thumbnail/202609/673991_287626_249_v150.jpg)
- 1.주성엔지니어링, 차세대 '원자층박막성장(ALG)' 기술로 3D 구조 보이드·누설전류 해결
- 2.3-5족·3-6족 화합물 반도체 상용화, 400도 이하 저온서 10nm 이하 박막 성장 성공
- 3.화합물 반도체는 실리콘 대비 전자 이동속도 최대 6배, AI 데이터센터 발열·전력 개선
- 4.글로벌 ALD 장비 시장 점유율 4위, 상반기 매출의 39.5%인 452억원 R&D 투입
왜 중요한가?
실리콘 미세공정이 물리적 한계에 부딪힌 상황에서, 고유전율·화합물 반도체 기술은 AI 반도체의 발열·전력 문제를 해결할 대안으로 주목받는다. 주성엔지니어링이 ASM·TEL·램리서치에 이어 ALD 장비 4위권 경쟁력을 확보했다는 점에서 국내 반도체 장비 생태계의 기술 자립도를 보여준다.
본문 미리보기
AI(인공지능) 산업의 폭발적 성장으로 피지컬 AI와 양자컴퓨팅, 자율주행 등 최첨단 기술이 현실화되고 있다. 그러나 반도체 제조 산업은 기존 실리콘 웨이퍼를 기반으로 한 미세공정의 물리학적 한계에 부딪히고 있다.한정된 면적에 더 많은 회로를 집적하는 방식으로는 발열과 전력 소모, 보이드(빈 공간) 발생 등 구조적 난제를 극복하기 어렵기 때문이다.반도체 전공정 장비 기업 주성엔지니어링은 차세대 '원자층박막성장(ALG) 기술'을 앞세워 공정 난제의 해결사로 나섰다. 하부 기판 재질과 공정 온도의 제약을 뛰어넘은 3-5족·3-6족 화합
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