삼성전자, AI 시대 메모리 혁신 청사진 제시...AI 가속기 위에 메모리 올린 'zHBM' 첫 선

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삼성전자가 미국에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 행사에서 차세대 3D 메모리 기술과 AI 메모리 로드맵을 공개하며 미래 인공지능(AI) 인프라 시장 선점에 나섰다. 기존 HBM의 한계를 뛰어넘는 새로운 3D 메모리 아키텍처와 400단 이상 초고적층 낸드 기술을 처음 선보이며 AI 시대 메모리 혁신 비전을 제시했다.삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHB