삼성전자가 미국 산타클라라에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 행사 FMS 2026에서 업계 최초로 3D 메모리 아키텍처 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개했다. zHBM은 AI 가속기 상단에 HBM을 수직 적층해 데이터 이동 거리를 줄인 구조로, HBM5 대비 최대 8배 성능·3배 전력 효율, 열 저항 절반 이하를 목표로 하며 인터레이어에 고객 맞춤 IP를 적용할 수 있다. zNAND-O는 TSV로 낸드를 4~8단 패키징한 온디바이스 AI용 솔루션이고, 400단 이상 V10 BV-NAND는 웨이퍼 본딩·3스택으로 집적도를 V9 대비 58% 높였다. HBM5(HPB 열관리)·LPDDR5X-PIM·기업용 SSD까지 로드맵을 공개하며 메모리-파운드리-패키징을 아우르는 원스톱 AI 반도체 전략을 강조했다.
- •FMS 2026에서 업계 최초 zHBM·zNAND-O 목업 공개, 약 30종 제품 전시
- •zHBM: AI 가속기 상단 HBM 수직 적층, HBM5 대비 성능 8배·전력효율 3배 목표
- •zNAND-O: TSV 결합 4~8단 패키징, AI PC·스마트폰 등 온디바이스 AI 겨냥
- •V10 BV-NAND: 400단 이상 초고적층, 집적도 V9 대비 58% 향상
- •HBM5·LPDDR5X-PIM·기업용 SSD 로드맵 공개, IDM 강점 살린 원스톱 전략 강조
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삼성전자, AI 시대 메모리 혁신 청사진 제시...AI 가속기 위에 메모리 올린 'zHBM' 첫 선
이 기사는 삼성전자가 AI 반도체 핵심 기술 경쟁에서 선두를 지키기 위한 중요한 전략을 보여줍니다. 한국은 메모리 반도체 강국으로서, 삼성전자의 이러한 차세대 기술 개발은 국내 AI 반도체 생태계 발전에 큰 영향을 미칠 것입니다.
본문 미리보기
삼성전자가 미국에서 열린 세계 최대 메모리·스토리지 행사에서 차세대 3D 메모리 기술과 AI 메모리 로드맵을 공개하며 미래 인공지능(AI) 인프라 시장 선점에 나섰다. 기존 HBM의 한계를 뛰어넘는 새로운 3D 메모리 아키텍처와 400단 이상 초고적층 낸드 기술을 처음 선보이며 AI 시대 메모리 혁신 비전을 제시했다.삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHB
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